İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
800V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
6.6A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1680pF @ 25V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
167W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-220-3