Hissə nömrəsi :
DMT10H010LK3-13
İstehsalçı :
Diodes Incorporated
Təsvir :
MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
68.8A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
53.7nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
2592pF @ 50V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
3W (Ta)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-252, (D-Pak)
Paket / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63