Microsemi Corporation - JAN1N1206A

KEY Part #: K6445535

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Diodlar - Zener - Diziler, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri- and Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar ...

Rəqabətli üstünlük:: Microsemi Corporation JAN1N1206A elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. JAN1N1206A sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. JAN1N1206A üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

Hissə nömrəsi : JAN1N1206A

İstehsalçı : Microsemi Corporation

Təsvir : DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA

Seriya : Military, MIL-PRF-19500/260

Hissə Vəziyyəti : Active

Diod növü : Standard

Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 600V

Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 12A

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.35V @ 38A

Sürət : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Geri Bərpa Vaxtı (trr) : -

Cari - Tərs Sızma @ Vr : 5µA @ 600V

Kapasitans @ Vr, F : -

Montaj növü : Chassis, Stud Mount

Paket / Case : DO-203AA, DO-4, Stud

Təchizatçı cihaz paketi : DO-203AA (DO-4)

Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -65°C ~ 150°C

Maraqlı ola bilərsiniz

C2D05120E

Cree/Wolfspeed

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.
VS-20ETF04FPPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.
BAT54WH6327XTSA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.
IDB23E60ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.
IDB12E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.
IDB45E60ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.