Infineon Technologies - FF900R12IP4BOSA2

KEY Part #: K6532530

FF900R12IP4BOSA2 Qiymətləndirmə (USD) [181ədəd Stok]

  • 1 pcs$254.92438

Hissə nömrəsi:
FF900R12IP4BOSA2
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
IGBT MODULE 1200V 900A.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Tiristorlar - SCR - Modullar, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar and Transistorlar - IGBTs - seriallar ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies FF900R12IP4BOSA2 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FF900R12IP4BOSA2 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FF900R12IP4BOSA2 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF900R12IP4BOSA2 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FF900R12IP4BOSA2
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : IGBT MODULE 1200V 900A
Seriya : PrimePack™2
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : Trench Field Stop
Konfiqurasiya : Single
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 900A
Gücü - Maks : 5100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.05V @ 15V, 900A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 5mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 54nF @ 25V
Giriş : Standard
NTC Termistor : Yes
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : Module
Təchizatçı cihaz paketi : Module

Maraqlı ola bilərsiniz
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.