ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42VM16800H-6BLI-TR

KEY Part #: K939347

Ətraflı Təsviri:: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 128M, 1.8V, M-SDRAM 8Mx16, 166Mhz, RoHS

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Xətti - analoq çarpanlar, bölücülər, PMIC - isti dəyişdirmə nəzarətçiləri, Məntiq - FİFO Yaddaşı, Quraşdırılmış - PLD (Proqramlaşdırıla bilən Məntiq, PMIC - LED sürücülər, Məlumatların alınması - analoq cəbhə sonu (AFE), Məntiq - Paritet Yaradanlar və Dama and Məlumatların əldə edilməsi - Sensorlu ekran nəzarə ...

Rəqabətli üstünlük:: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16800H-6BLI-TR elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IS42VM16800H-6BLI-TR sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IS42VM16800H-6BLI-TR üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

Hissə nömrəsi : IS42VM16800H-6BLI-TR

İstehsalçı : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Təsvir : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Seriya : -

Hissə Vəziyyəti : Active

Yaddaş növü : Volatile

Yaddaş formatı : DRAM

Texnologiya : SDRAM - Mobile

Yaddaş ölçüsü : 128Mb (8M x 16)

Saat tezliyi : 166MHz

Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : -

Giriş vaxtı : 5.5ns

Yaddaş interfeysi : Parallel

Gərginlik - Təchizat : 1.7V ~ 1.95V

Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 85°C (TA)

Montaj növü : Surface Mount

Paket / Case : 54-TFBGA

Təchizatçı cihaz paketi : 54-TFBGA (8x8)

Maraqlı ola bilərsiniz

U62256ADK07LLG1

Alliance Memory, Inc.

IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch
W94AD2KBJX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz
W9864G2JB-6I

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp
W632GG8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.