Hissə nömrəsi :
2SK3666-2-TB-E
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
JFET NCH 30V 200MW 3CP
Gərginlik - Qırılma (V (BR) GSS) :
-
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
30V
Cari - Drenaj (İdss) @ Vds (Vgs = 0) :
600µA @ 10V
Cari Drenaj (İd) - Maks :
10mA
Gərginlik - Kəsmə (VGS söndürülmüş) @ İd :
180mV @ 1µA
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
4pF @ 10V
Müqavimət - RDS (On) :
200 Ohms
Əməliyyat temperaturu :
150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Təchizatçı cihaz paketi :
3-CP