Vishay Siliconix - SI8819EDB-T2-E1

KEY Part #: K6421527

SI8819EDB-T2-E1 Qiymətləndirmə (USD) [724691ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.05104

Hissə nömrəsi:
SI8819EDB-T2-E1
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar and Transistorlar - IGBTs - Modullar ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI8819EDB-T2-E1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI8819EDB-T2-E1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI8819EDB-T2-E1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8819EDB-T2-E1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI8819EDB-T2-E1
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : P-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 12V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 2.9A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 3.7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 8V
Vgs (Maks) : ±8V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 650pF @ 6V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 900mW (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Paket / Case : 4-XFBGA