ON Semiconductor - FDB86102LZ

KEY Part #: K6397349

FDB86102LZ Qiymətləndirmə (USD) [111339ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.33220
  • 800 pcs$0.23110

Hissə nömrəsi:
FDB86102LZ
İstehsalçı:
ON Semiconductor
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - RF and Transistorlar - IGBTs - Modullar ...
Rəqabətli üstünlük:
ON Semiconductor FDB86102LZ elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FDB86102LZ sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FDB86102LZ üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB86102LZ Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FDB86102LZ
İstehsalçı : ON Semiconductor
Təsvir : MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
Seriya : PowerTrench®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 8.3A (Ta), 30A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1275pF @ 50V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 3.1W (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-263AB
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB