Vishay Siliconix - SI2351DS-T1-E3

KEY Part #: K6408684

[542ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    SI2351DS-T1-E3
    İstehsalçı:
    Vishay Siliconix
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Tiristorlar - SCRlər, Diodlar - Zener - Subay and Diodlar - RF ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Vishay Siliconix SI2351DS-T1-E3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI2351DS-T1-E3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI2351DS-T1-E3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI2351DS-T1-E3 Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : SI2351DS-T1-E3
    İstehsalçı : Vishay Siliconix
    Təsvir : MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
    Seriya : TrenchFET®
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : P-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 20V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 2.8A (Tc)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 2.4A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 5.1nC @ 5V
    Vgs (Maks) : ±12V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 250pF @ 10V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 1W (Ta), 2.1W (Tc)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Təchizatçı cihaz paketi : SOT-23-3 (TO-236)
    Paket / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3