Diodes Incorporated - DMN33D8LT-13

KEY Part #: K6416431

DMN33D8LT-13 Qiymətləndirmə (USD) [1737669ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.02129
  • 10,000 pcs$0.01923

Hissə nömrəsi:
DMN33D8LT-13
İstehsalçı:
Diodes Incorporated
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 30V 0.115A.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Zener - Subay, Diodlar - RF, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Diodes Incorporated DMN33D8LT-13 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DMN33D8LT-13 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DMN33D8LT-13 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN33D8LT-13 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DMN33D8LT-13
İstehsalçı : Diodes Incorporated
Təsvir : MOSFET N-CH 30V 0.115A
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 115mA (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 0.55nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 48pF @ 5V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 240mW (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : SOT-523
Paket / Case : SOT-523