Infineon Technologies - IPC045N10L3X1SA1

KEY Part #: K6420716

IPC045N10L3X1SA1 Qiymətləndirmə (USD) [237641ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.41392

Hissə nömrəsi:
IPC045N10L3X1SA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - RF, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək and Tiristorlar - SCRlər ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPC045N10L3X1SA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPC045N10L3X1SA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPC045N10L3X1SA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPC045N10L3X1SA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPC045N10L3X1SA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 1A (Tj)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 33µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Maks) : -
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : -
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : -
Əməliyyat temperaturu : -
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : Sawn on foil
Paket / Case : Die

Maraqlı ola bilərsiniz