STMicroelectronics - STD9HN65M2

KEY Part #: K6420220

STD9HN65M2 Qiymətləndirmə (USD) [171614ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.21553
  • 2,500 pcs$0.19186

Hissə nömrəsi:
STD9HN65M2
İstehsalçı:
STMicroelectronics
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Tiristorlar - SCRlər and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri- ...
Rəqabətli üstünlük:
STMicroelectronics STD9HN65M2 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. STD9HN65M2 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. STD9HN65M2 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD9HN65M2 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : STD9HN65M2
İstehsalçı : STMicroelectronics
Təsvir : MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Seriya : MDmesh™ M2
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 650V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 820 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 11.5nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±25V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 325pF @ 100V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 60W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : DPAK
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Maraqlı ola bilərsiniz