Infineon Technologies - BSZ019N03LSATMA1

KEY Part #: K6419887

BSZ019N03LSATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [142053ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.26038

Hissə nömrəsi:
BSZ019N03LSATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Diziler, Diodlar - Zener - Subay, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - IGBTs - seriallar and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies BSZ019N03LSATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BSZ019N03LSATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BSZ019N03LSATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ019N03LSATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : BSZ019N03LSATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 22A (Ta). 40A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2800pF @ 15V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TSDSON-8-FL
Paket / Case : 8-PowerTDFN

Maraqlı ola bilərsiniz