Vishay Siliconix - SIRA20DP-T1-RE3

KEY Part #: K6396196

SIRA20DP-T1-RE3 Qiymətləndirmə (USD) [125329ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.29512
  • 3,000 pcs$0.27713

Hissə nömrəsi:
SIRA20DP-T1-RE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Tiristorlar - SCR - Modullar, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - RF and Tiristorlar - SCRlər ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SIRA20DP-T1-RE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SIRA20DP-T1-RE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SIRA20DP-T1-RE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRA20DP-T1-RE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SIRA20DP-T1-RE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 25V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 81.7A (Ta), 100A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.58 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (Maks) : +16V, -12V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 10850pF @ 10V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® SO-8
Paket / Case : PowerPAK® SO-8