Hissə nömrəsi :
SIR122DP-T1-RE3
İstehsalçı :
Vishay Siliconix
Təsvir :
MOSFET N-CH 80V PPAK SO-8
Seriya :
TrenchFET® Gen IV
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
80V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
44nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1950pF @ 40V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
PowerPAK® SO-8
Paket / Case :
PowerPAK® SO-8