Hissə nömrəsi :
FQI4N20LTU
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK
Hissə Vəziyyəti :
Obsolete
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
3.8A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.35 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
5.2nC @ 5V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
310pF @ 25V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
3.13W (Ta), 45W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
I2PAK (TO-262)
Paket / Case :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA