Diodes Incorporated - DMN3023L-13

KEY Part #: K6396393

DMN3023L-13 Qiymətləndirmə (USD) [854076ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.04331
  • 10,000 pcs$0.03848

Hissə nömrəsi:
DMN3023L-13
İstehsalçı:
Diodes Incorporated
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - JFETlər, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Güc Sürücü Modulları and Tiristorlar - TRIACs ...
Rəqabətli üstünlük:
Diodes Incorporated DMN3023L-13 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DMN3023L-13 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DMN3023L-13 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3023L-13 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DMN3023L-13
İstehsalçı : Diodes Incorporated
Təsvir : MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 6.2A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 18.4nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 873pF @ 15V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 900mW (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 155°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : SOT-23
Paket / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3