ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16640C-3DBI-TR

KEY Part #: K938180

Ətraflı Təsviri:: IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ. DRAM 1G 64Mx16 333MHz DDR2 1.8V

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Məntiq - Shift Qeydləri, PMIC - V / F və F / V çeviriciləri, Quraşdırılmış - Mikrokontrolör, Mikroprosessor, FP, Quraşdırılmış - CPLDlər (Kompleks Proqramlaşdırıla, PMIC - Gərginlik tənzimləyiciləri - Xətti + Kommut, PMIC - Termal İdarəetmə, İnterfeys - Sensor, Kapasitif toxunuş and Məntiq - Tərcüməçilər, Səviyyə dəyişdiricilər ...

Rəqabətli üstünlük:: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-3DBI-TR elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IS43DR16640C-3DBI-TR sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IS43DR16640C-3DBI-TR üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

Hissə nömrəsi : IS43DR16640C-3DBI-TR

İstehsalçı : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Təsvir : IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ

Seriya : -

Hissə Vəziyyəti : Active

Yaddaş növü : Volatile

Yaddaş formatı : DRAM

Texnologiya : SDRAM - DDR2

Yaddaş ölçüsü : 1Gb (64M x 16)

Saat tezliyi : 333MHz

Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 15ns

Giriş vaxtı : 450ns

Yaddaş interfeysi : Parallel

Gərginlik - Təchizat : 1.7V ~ 1.9V

Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 85°C (TA)

Montaj növü : Surface Mount

Paket / Case : 84-TFBGA

Təchizatçı cihaz paketi : 84-TFBGA (12.5x8)

Silicom MinnowBoard Turbot

Maraqlı ola bilərsiniz

AT27C4096-90PU

Microchip Technology

IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns
71V3576S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.
71V3577S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
W94AD2KBJX5I

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

İsti hissələr