Infineon Technologies - IPB70N10S3L12ATMA1

KEY Part #: K6419303

IPB70N10S3L12ATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [103519ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.37772
  • 1,000 pcs$0.32777

Hissə nömrəsi:
IPB70N10S3L12ATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - IGBTs - Subay, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Diodlar - Zener - Diziler, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik and Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPB70N10S3L12ATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPB70N10S3L12ATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPB70N10S3L12ATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB70N10S3L12ATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPB70N10S3L12ATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 70A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.8 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 83µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 5550pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 125W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO263-3-2
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB