Infineon Technologies - IPB60R280P7ATMA1

KEY Part #: K6419005

IPB60R280P7ATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [87266ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.44807

Hissə nömrəsi:
IPB60R280P7ATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Diodlar - Zener - Diziler, Diodlar - RF, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Diodlar - Zener - Subay and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri- ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPB60R280P7ATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPB60R280P7ATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPB60R280P7ATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R280P7ATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPB60R280P7ATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET TO263-3
Seriya : CoolMOS™ P7
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 190µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 761pF @ 400V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 53W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : D²PAK (TO-263AB)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB