Hissə nömrəsi :
TPN7R506NH,L1Q
İstehsalçı :
Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir :
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
26A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 200µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1800pF @ 30V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
700mW (Ta), 42W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Case :
8-PowerVDFN