Hissə nömrəsi :
RN1705JE(TE85L,F)
İstehsalçı :
Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Transistor tipi :
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
100mA
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
50V
Rezistor - Baza (R1) :
2.2 kOhms
Rezistor - Emitter bazası (R2) :
47 kOhms
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
100nA (ICBO)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
ESV