Ampleon USA Inc. - BLF8G22LS-200GV,12

KEY Part #: K6465769

BLF8G22LS-200GV,12 Qiymətləndirmə (USD) [1221ədəd Stok]

1 pcs$51.21402
96 pcs$50.95922

Hissə nömrəsi:: BLF8G22LS-200GV,12

İstehsalçı:: Ampleon USA Inc.

Ətraflı Təsviri:: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C.

Manufacturer's standard lead time:: Anbarda

Raf ömrü:: Bir il

Chip From:: Honq Konq

RoHS:

Ödəniş üsulu:

Göndərmə yolu:

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - IGBTs - Subay and Diodlar - RF ...

Rəqabətli üstünlük:: Ampleon USA Inc. BLF8G22LS-200GV,12 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BLF8G22LS-200GV,12 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BLF8G22LS-200GV,12 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

BLF8G22LS-200GV,12 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : BLF8G22LS-200GV,12

İstehsalçı : Ampleon USA Inc.

Təsvir : RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C

Seriya : -

Hissə Vəziyyəti : Active

Transistor tipi : LDMOS

Tezlik : 2.11GHz ~ 2.17GHz

Qazanc : 19dB

Gərginlik - Test : 28V

Cari Reytinq : -

Səs-küy şəkli : -

Cari - Test : 2A

Güc - Çıxış : 55W

Gərginlik - Qiymətləndirilib : 65V

Paket / Case : SOT-1244C

Təchizatçı cihaz paketi : CDFM6

Maraqlı ola bilərsiniz

MMBFJ310

ON Semiconductor

RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.
AFM906NT1

NXP USA Inc.

WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.
A2T27S007NT1

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.
AFM907NT1

NXP USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.
MHT1108NT1

NXP USA Inc.

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.
AFT27S006NT1

NXP USA Inc.

FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W.

English Azərbaycan