Hissə nömrəsi :
SQM200N04-1M1L_GE3
İstehsalçı :
Vishay Siliconix
Təsvir :
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
40V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
200A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
413nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
20655pF @ 25V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
375W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-263-7
Paket / Case :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)