NXP USA Inc. - PSMN009-100W,127

KEY Part #: K6400190

[3483ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    PSMN009-100W,127
    İstehsalçı:
    NXP USA Inc.
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N-CH 100V 100A SOT429.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar and Transistorlar - IGBTs - Modullar ...
    Rəqabətli üstünlük:
    NXP USA Inc. PSMN009-100W,127 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. PSMN009-100W,127 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. PSMN009-100W,127 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PSMN009-100W,127 Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : PSMN009-100W,127
    İstehsalçı : NXP USA Inc.
    Təsvir : MOSFET N-CH 100V 100A SOT429
    Seriya : TrenchMOS™
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 100A (Tc)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 214nC @ 10V
    Vgs (Maks) : ±20V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 9000pF @ 25V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 300W (Tc)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Montaj növü : Through Hole
    Təchizatçı cihaz paketi : TO-247-3
    Paket / Case : TO-247-3