ON Semiconductor - FQB19N10LTM

KEY Part #: K6410683

[14052ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    FQB19N10LTM
    İstehsalçı:
    ON Semiconductor
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - RF, Transistorlar - JFETlər, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər and Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək ...
    Rəqabətli üstünlük:
    ON Semiconductor FQB19N10LTM elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FQB19N10LTM sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FQB19N10LTM üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQB19N10LTM Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : FQB19N10LTM
    İstehsalçı : ON Semiconductor
    Təsvir : MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
    Seriya : QFET®
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 19A (Tc)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 9.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 5V
    Vgs (Maks) : ±20V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 870pF @ 25V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 3.75W (Ta), 75W (Tc)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Təchizatçı cihaz paketi : D²PAK (TO-263AB)
    Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB