Təsvir :
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
FET növü :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature :
GaNFET (Gallium Nitride)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
Die