Infineon Technologies - IPP052NE7N3GXKSA1

KEY Part #: K6417074

IPP052NE7N3GXKSA1 Qiymətləndirmə (USD) [33280ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.02016
  • 10 pcs$0.92316
  • 100 pcs$0.74175
  • 500 pcs$0.57691
  • 1,000 pcs$0.47801

Hissə nömrəsi:
IPP052NE7N3GXKSA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - JFETlər, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd and Transistorlar - IGBTs - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPP052NE7N3GXKSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPP052NE7N3GXKSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPP052NE7N3GXKSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP052NE7N3GXKSA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPP052NE7N3GXKSA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 75V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 91µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4750pF @ 37.5V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 150W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO220-3-1
Paket / Case : TO-220-3

Maraqlı ola bilərsiniz
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.