Infineon Technologies - IPP023NE7N3G

KEY Part #: K6400975

[3210ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    IPP023NE7N3G
    İstehsalçı:
    Infineon Technologies
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N-CH 75V 120A TO220.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Tiristorlar - TRIACs, Tiristorlar - SCRlər, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Diodlar - RF, Transistorlar - JFETlər and Transistorlar - IGBTs - Subay ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Infineon Technologies IPP023NE7N3G elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPP023NE7N3G sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPP023NE7N3G üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPP023NE7N3G Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : IPP023NE7N3G
    İstehsalçı : Infineon Technologies
    Təsvir : MOSFET N-CH 75V 120A TO220
    Seriya : OptiMOS™ 3
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 75V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 120A (Tc)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 100A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 273µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 206nC @ 10V
    Vgs (Maks) : ±20V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 14400pF @ 37.5V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 300W (Tc)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Montaj növü : Through Hole
    Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO220-3
    Paket / Case : TO-220-3