IXYS - IXFM35N30

KEY Part #: K6400907

[3234ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    IXFM35N30
    İstehsalçı:
    IXYS
    Ətraflı Təsviri:
    POWER MOSFET TO-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Tiristorlar - TRIACs, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Tiristorlar - SCR - Modullar and Diodlar - RF ...
    Rəqabətli üstünlük:
    IXYS IXFM35N30 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFM35N30 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFM35N30 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFM35N30 Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : IXFM35N30
    İstehsalçı : IXYS
    Təsvir : POWER MOSFET TO-3
    Seriya : HiPerFET™
    Hissə Vəziyyəti : Last Time Buy
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 300V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 35A (Tc)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 17.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
    Vgs (Maks) : ±20V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4800pF @ 25V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 300W (Tc)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montaj növü : Through Hole
    Təchizatçı cihaz paketi : TO-204AE
    Paket / Case : TO-204AE