S34MS02G200BHI003 Qiymətləndirmə (USD) [17014ədəd Stok]
- 1 pcs$2.69325
- 2,300 pcs$2.58058
- Hissə nömrəsi:
- S34MS02G200BHI003
- İstehsalçı:
- Cypress Semiconductor Corp
- Ətraflı Təsviri:
- IC FLASH 2G PARALLEL. NAND Flash Nand
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Saat / Zamanlama - Proqramlaşdırılan Taymerlər və , PMIC - Gərginlik arayışı, PMIC - Mövcud Tənzimləmə / İdarəetmə, Daxili - DSP (Rəqəmsal Siqnal İşlemleri), Məntiq - Paritet Yaradanlar və Dama, İnterfeys - kodlayıcılar, dekoderlər, çeviricilər, PMIC - Termal İdarəetmə and Məntiq - Flip Flops ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Cypress Semiconductor Corp S34MS02G200BHI003 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. S34MS02G200BHI003 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. S34MS02G200BHI003 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
S34MS02G200BHI003 Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
S34MS02G200BHI003
İstehsalçı :
Cypress Semiconductor Corp
Təsvir :
IC FLASH 2G PARALLEL
Seriya :
MS-2
Hissə Vəziyyəti :
Last Time Buy
Yaddaş növü :
Non-Volatile
Yaddaş formatı :
FLASH
Texnologiya :
FLASH - NAND
Yaddaş ölçüsü :
2Gb (256M x 8)
Saat tezliyi :
-
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə :
45ns
Giriş vaxtı :
45ns
Yaddaş interfeysi :
Parallel
Gərginlik - Təchizat :
1.7V ~ 1.95V
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 85°C (TA)
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
63-VFBGA
Təchizatçı cihaz paketi :
63-BGA (11x9)
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
-
AT28BV256-20SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
71V25761S183PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
İsti hissələr
- W25P40VSNIG T&R
- MT28F320J3RG-11 GMET
- CY7C1355B-100AC
- M27C1001-70C1
- AT45DB041B-TC-2.5
- AT45D021-JC
- AT29C256-20TC
- AT24C164-10PI-2.7
- AT49F1025-55JI
- AT24C256W-10SC-2.7
- IS25WP016-JKLE
- IS62WV12816ALL-70BI-TR
- MT53B4DCNQ-DC
- 7006S15PFI
- MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR
- MT53D384M32D2DS-046 AAT:C TR
- IS49NLS18160-25WBLI
- 24AA512-I/S22K
- AS4C8M16S-7TCNTR
- AT45DQ161-SHD2B-T
- MT41J512M8RH-093:E
- MT48LC32M8A2BB-7E:G TR
- CY7C1484BV25-250AXI
- R1LP0408DSB-5SI#B0
- MT29FEN64GDKCAAXDQ-10:A
- IS46TR16128A-125KBLA1
- SST25VF080B-80-4I-S2AE-T
- AT25DQ161-SH-T
- CY7C1474BV33-167BGIT
- AT93C86AY6-10YH-1.8-T
- 71V321L25PF8
- IDT71V016SA20PH
- IDT71T75902S75PFI
- IDT71T75702S85PFI
- 7130SA20J
- RC28F640P30B85A
- CY62157DV30L-55BVXE
- IS42S32800B-6BL-TR
- IS42S16800D-7T-TR
- TC58CVG0S3HRAIG
选择你的位置