Hissə nömrəsi :
2SK545-11D-TB-E
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
JFET N-CH 1MA 125MW CP
Gərginlik - Qırılma (V (BR) GSS) :
-
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
40V
Cari - Drenaj (İdss) @ Vds (Vgs = 0) :
60µA @ 10V
Cari Drenaj (İd) - Maks :
1mA
Gərginlik - Kəsmə (VGS söndürülmüş) @ İd :
1.5V @ 1µA
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1.7pF @ 10V
Əməliyyat temperaturu :
-
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Təchizatçı cihaz paketi :
3-CP