Infineon Technologies - IPP65R095C7XKSA1

KEY Part #: K6416353

IPP65R095C7XKSA1 Qiymətləndirmə (USD) [14062ədəd Stok]

  • 1 pcs$2.93065
  • 500 pcs$1.70705

Hissə nömrəsi:
IPP65R095C7XKSA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 650V TO-220-3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Diodlar - Zener - Diziler, Tiristorlar - SCR - Modullar, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar and Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPP65R095C7XKSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPP65R095C7XKSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPP65R095C7XKSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP65R095C7XKSA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPP65R095C7XKSA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Seriya : CoolMOS™ C7
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 650V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 590µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2140pF @ 400V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 128W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO220-3
Paket / Case : TO-220-3