İstehsalçı :
Microsemi Corporation
Təsvir :
DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
400V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.25V @ 1A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
50ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
10µA @ 400V
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
-
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-55°C ~ 150°C