Infineon Technologies - BUZ30AHXKSA1

KEY Part #: K6399053

BUZ30AHXKSA1 Qiymətləndirmə (USD) [38804ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.00762

Hissə nömrəsi:
BUZ30AHXKSA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF and Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies BUZ30AHXKSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BUZ30AHXKSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BUZ30AHXKSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUZ30AHXKSA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : BUZ30AHXKSA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Seriya : SIPMOS®
Hissə Vəziyyəti : Not For New Designs
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 21A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1900pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 125W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO220-3
Paket / Case : TO-220-3