Hissə nömrəsi :
RN1427TE85LF
İstehsalçı :
Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir :
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Transistor tipi :
NPN - Pre-Biased
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
800mA
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
50V
Rezistor - Baza (R1) :
2.2 kOhms
Rezistor - Emitter bazası (R2) :
10 kOhms
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
90 @ 100mA, 1V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
250mV @ 1mA, 50mA
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
500nA
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Təchizatçı cihaz paketi :
S-Mini