IXYS - IXTA2R4N120P

KEY Part #: K6394767

IXTA2R4N120P Qiymətləndirmə (USD) [22107ədəd Stok]

  • 1 pcs$2.15455
  • 50 pcs$2.14383

Hissə nömrəsi:
IXTA2R4N120P
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Diodlar - Zener - Subay and Transistorlar - IGBTs - seriallar ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXTA2R4N120P elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXTA2R4N120P sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXTA2R4N120P üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA2R4N120P Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXTA2R4N120P
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263
Seriya : Polar™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 2.4A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1207pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 125W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-263 (IXTA)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB