İstehsalçı :
Microsemi Corporation
Təsvir :
DIODE GEN PURP 100V 6A D5B
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
100V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
6A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.76V @ 18.8A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
30ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
5µA @ 100V
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
SQ-MELF, E
Təchizatçı cihaz paketi :
D-5B
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-65°C ~ 155°C