Infineon Technologies - IPI111N15N3GAKSA1

KEY Part #: K6417514

IPI111N15N3GAKSA1 Qiymətləndirmə (USD) [33328ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.23661
  • 500 pcs$1.02997

Hissə nömrəsi:
IPI111N15N3GAKSA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Güc Sürücü Modulları, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Diodlar - RF, Tiristorlar - TRIACs and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPI111N15N3GAKSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPI111N15N3GAKSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPI111N15N3GAKSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI111N15N3GAKSA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPI111N15N3GAKSA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 150V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 83A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.1 mOhm @ 83A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 160µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 3230pF @ 75V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 214W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO262-3
Paket / Case : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Maraqlı ola bilərsiniz