Microsemi Corporation - JANTX1N757A-1

KEY Part #: K6479701

JANTX1N757A-1 Qiymətləndirmə (USD) [15355ədəd Stok]

  • 1 pcs$2.57809
  • 10 pcs$2.30266
  • 25 pcs$2.07235
  • 100 pcs$1.88818
  • 250 pcs$1.70398
  • 500 pcs$1.52896
  • 1,000 pcs$1.28949
  • 2,500 pcs$1.22501

Hissə nömrəsi:
JANTX1N757A-1
İstehsalçı:
Microsemi Corporation
Ətraflı Təsviri:
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl and Transistorlar - JFETlər ...
Rəqabətli üstünlük:
Microsemi Corporation JANTX1N757A-1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. JANTX1N757A-1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. JANTX1N757A-1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N757A-1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : JANTX1N757A-1
İstehsalçı : Microsemi Corporation
Təsvir : DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
Seriya : Military, MIL-PRF-19500/127
Hissə Vəziyyəti : Active
Gərginlik - Zener (Nom) (Vz) : 9.1V
Dözümlülük : ±5%
Gücü - Maks : 500mW
Empedans (Maks) (Zzt) : 6 Ohms
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 1µA @ 7V
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.1V @ 200mA
Əməliyyat temperaturu : -65°C ~ 175°C
Montaj növü : Through Hole
Paket / Case : DO-204AH, DO-35, Axial
Təchizatçı cihaz paketi : DO-35 (DO-204AH)

Maraqlı ola bilərsiniz
  • BAR43C

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3.

  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array