Hissə nömrəsi :
DTC123EUAT106
İstehsalçı :
Rohm Semiconductor
Təsvir :
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Hissə Vəziyyəti :
Not For New Designs
Transistor tipi :
NPN - Pre-Biased
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
100mA
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
50V
Rezistor - Baza (R1) :
2.2 kOhms
Rezistor - Emitter bazası (R2) :
2.2 kOhms
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
20 @ 20mA, 5V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
500nA
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
SC-70, SOT-323
Təchizatçı cihaz paketi :
UMT3