Infineon Technologies - BSC016N03LSGATMA1

KEY Part #: K6419848

BSC016N03LSGATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [138214ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.28610
  • 5,000 pcs$0.28468

Hissə nömrəsi:
BSC016N03LSGATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - IGBTs - Subay, Tiristorlar - SCR - Modullar, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar and Diodlar - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies BSC016N03LSGATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BSC016N03LSGATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BSC016N03LSGATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC016N03LSGATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : BSC016N03LSGATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Not For New Designs
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 32A (Ta), 100A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 131nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 10000pF @ 15V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TDSON-8
Paket / Case : 8-PowerTDFN

Maraqlı ola bilərsiniz