Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP10ME-E3/73

KEY Part #: K6458176

RGP10ME-E3/73 Qiymətləndirmə (USD) [931859ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.03969
  • 9,000 pcs$0.03671

Hissə nömrəsi:
RGP10ME-E3/73
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0A 1000 Volt 500ns
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - TRIACs, Tiristorlar - SCRlər, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF and Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division RGP10ME-E3/73 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. RGP10ME-E3/73 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. RGP10ME-E3/73 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGP10ME-E3/73 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : RGP10ME-E3/73
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
Seriya : SUPERECTIFIER®
Hissə Vəziyyəti : Active
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 1000V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.3V @ 1A
Sürət : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 500ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 5µA @ 1000V
Kapasitans @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü : Through Hole
Paket / Case : DO-204AL, DO-41, Axial
Təchizatçı cihaz paketi : DO-204AL (DO-41)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -65°C ~ 175°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in