Hissə nömrəsi :
FJN3312RTA
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Hissə Vəziyyəti :
Obsolete
Transistor tipi :
NPN - Pre-Biased
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
100mA
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
40V
Rezistor - Baza (R1) :
47 kOhms
Rezistor - Emitter bazası (R2) :
-
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
100 @ 1mA, 5V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
300mV @ 1mA, 10mA
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
100nA (ICBO)
Montaj növü :
Through Hole
Paket / Case :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-92-3