IDC28D120T6MX1SA2 Qiymətləndirmə (USD) [19939ədəd Stok]
- 1 pcs$2.06688
- Hissə nömrəsi:
- IDC28D120T6MX1SA2
- İstehsalçı:
- Infineon Technologies
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER.
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - RF, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - IGBTs - seriallar and Transistorlar - IGBTs - Subay ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Infineon Technologies IDC28D120T6MX1SA2 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IDC28D120T6MX1SA2 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IDC28D120T6MX1SA2 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
IDC28D120T6MX1SA2 Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
IDC28D120T6MX1SA2
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
Seriya :
-
Hissə Vəziyyəti :
Active
Diod növü :
Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
1200V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
50A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
2.05V @ 50A
Sürət :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
-
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
10µA @ 1200V
Kapasitans @ Vr, F :
-
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
Die
Təchizatçı cihaz paketi :
Sawn on foil
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-40°C ~ 175°C
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
İsti hissələr
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A
选择你的位置