İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
JFET N-CH 30V 350MW SOT23
Gərginlik - Qırılma (V (BR) GSS) :
30V
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
30V
Cari - Drenaj (İdss) @ Vds (Vgs = 0) :
5mA @ 20V
Cari Drenaj (İd) - Maks :
-
Gərginlik - Kəsmə (VGS söndürülmüş) @ İd :
500mV @ 1nA
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
14pF @ 20V
Müqavimət - RDS (On) :
100 Ohms
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Təchizatçı cihaz paketi :
SOT-23-3