STMicroelectronics - STB25NM60N

KEY Part #: K6415806

[12283ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    STB25NM60N
    İstehsalçı:
    STMicroelectronics
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Diziler, Diodlar - Zener - Subay, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd and Diodlar - RF ...
    Rəqabətli üstünlük:
    STMicroelectronics STB25NM60N elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. STB25NM60N sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. STB25NM60N üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STB25NM60N Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : STB25NM60N
    İstehsalçı : STMicroelectronics
    Təsvir : MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
    Seriya : MDmesh™ II
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 600V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 21A (Tc)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 10.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 84nC @ 10V
    Vgs (Maks) : ±25V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2400pF @ 50V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 160W (Tc)
    Əməliyyat temperaturu : 150°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Təchizatçı cihaz paketi : D2PAK
    Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB