Diodes Incorporated - DMN60H4D5SK3-13

KEY Part #: K6421202

DMN60H4D5SK3-13 Qiymətləndirmə (USD) [389623ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.09493
  • 2,500 pcs$0.08497

Hissə nömrəsi:
DMN60H4D5SK3-13
İstehsalçı:
Diodes Incorporated
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - JFETlər, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Diodlar - Zener - Subay and Diodlar - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Diodes Incorporated DMN60H4D5SK3-13 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DMN60H4D5SK3-13 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DMN60H4D5SK3-13 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN60H4D5SK3-13 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DMN60H4D5SK3-13
İstehsalçı : Diodes Incorporated
Təsvir : MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 2.5A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 273.5pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 41W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-252, (D-Pak)
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63