1N4006G-T Qiymətləndirmə (USD) [1383862ədəd Stok]
- 1 pcs$0.02673
- 5,000 pcs$0.02428
- 10,000 pcs$0.02158
- 25,000 pcs$0.02023
- 50,000 pcs$0.01794
- Hissə nömrəsi:
- 1N4006G-T
- İstehsalçı:
- Diodes Incorporated
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE GEN PURP 800V 1A DO41. Rectifiers 1.0A 800V
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar and Tiristorlar - SCR - Modullar ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Diodes Incorporated 1N4006G-T elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. 1N4006G-T sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. 1N4006G-T üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
1N4006G-T Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
1N4006G-T
İstehsalçı :
Diodes Incorporated
Təsvir :
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Seriya :
-
Hissə Vəziyyəti :
Active
Diod növü :
Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
800V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1V @ 1A
Sürət :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
2µs
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
5µA @ 800V
Kapasitans @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü :
Through Hole
Paket / Case :
DO-204AL, DO-41, Axial
Təchizatçı cihaz paketi :
DO-41
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-65°C ~ 175°C
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
MBRD6100CT-TP
Micro Commercial Co
6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER
-
-
GI751-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 6A P600. Rectifiers 6 Amp 100 Volt 400 Amp IFSM
-
GL41M-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM
-
BYM10-800-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
İsti hissələr
- CR5F-120 BK
- IRD3CH11DF6
- FR306TA
- CMSH1-100 BK
- JANTX1N6624U
- JAN1N6622US
- VS-30BQ100GPBF
- DSB3A40
- HS247180R
- UF5A400D1
- RD0106T-H
- UGF15HT-E3/45
- UF1506S-B
- MBRH20045L
- 1N1203BR
- GP10AHE3/54
- MBR1040
- STPS1545R
- MBRD360
- MA2C700A0F
- STTH3L06B-TR
- BYW80-200
- MBRB1045TRL
- 1N6542
- SD233N36S50PSC
- 6TQ045S
- 1N6549
- ES1J-TP
- FS2B-TP
- R2500-TP
- FR203-TP
- 1N4935-TP
- FR503-AP
- RS 1AV
- ES3G R7G
- RB160M-50TR
- MURS360SHE3_A/H
- SE20PDHM3/85A
- GP10-4007-E3/54
- BAS4002LE6327XTMA1
选择你的位置