Infineon Technologies - IRF8910TRPBF

KEY Part #: K6523189

IRF8910TRPBF Qiymətləndirmə (USD) [208877ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.17708
  • 4,000 pcs$0.15670

Hissə nömrəsi:
IRF8910TRPBF
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - Zener - Subay, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - IGBTs - seriallar and Transistorlar - JFETlər ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IRF8910TRPBF elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IRF8910TRPBF sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IRF8910TRPBF üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF8910TRPBF Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IRF8910TRPBF
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Seriya : HEXFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : 2 N-Channel (Dual)
FET Feature : Logic Level Gate
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 20V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.55V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 960pF @ 10V
Gücü - Maks : 2W
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Təchizatçı cihaz paketi : 8-SO

Maraqlı ola bilərsiniz